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Si2307CDS
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
10
1
0.1
0.01
0.001
T J = 25 °C
T J = 150 °C
T J = - 50 °C
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
I D = 3.5 A
T J = 125 °C
T J = 25 °C
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
2
4
6
8
10
0.6
0.4
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μ A
10
8
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.2
0.0
I D = 1 mA
6
4
-0.2
-0.4
2
0
T A = 25 °C
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
Limited b y R DS(on) *
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
10
1
100 μs
1 ms
10 ms
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
BVDSS Limited
100 ms
1 s, 10 s
100 s, DC
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 68768
S-81580-Rev. A, 07-Jul-08
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